半導(dǎo)體材料高低溫試驗(yàn)箱|半導(dǎo)體材料低溫測(cè)試箱

設(shè)備介紹：

半導(dǎo)體材料高低溫試驗(yàn)箱|半導(dǎo)體材料低溫測(cè)試箱是一款用于半導(dǎo)體材料做高溫、低溫、高低溫交變的可靠性試驗(yàn)設(shè)備。經(jīng)過測(cè)試從而知道因溫度引起的物理效應(yīng)和現(xiàn)象。半導(dǎo)體材料（semiconductor material）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。

符合標(biāo)準(zhǔn)

半導(dǎo)體材料高低溫試驗(yàn)箱|半導(dǎo)體材料低溫測(cè)試箱具有較寬的溫度調(diào)節(jié)控制范圍，可滿足國家標(biāo)準(zhǔn)本產(chǎn)品滿足GB 2423.1--2001、GB 2423.2—2001、GB2423.3-2001、GB2423.4-2001等國家標(biāo)準(zhǔn)《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程》A：低溫試驗(yàn)方法，試驗(yàn)B：高溫試驗(yàn)方法，試驗(yàn)Ca：恒定濕熱試驗(yàn)方法，試驗(yàn)Db：交變濕熱試驗(yàn)方法》要求。GB 10592—89、GB/T5170.2-96國家標(biāo)準(zhǔn)制造件，并可按軍標(biāo)試驗(yàn)要求GJB150.3-86，GJB150.4-86，及非標(biāo)準(zhǔn)制作各種半導(dǎo)體材料高低溫試驗(yàn)設(shè)備。并等效滿足GJB150.9-86等相應(yīng)的國標(biāo)、軍標(biāo)；也可按客戶的要求制造非標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品。

半導(dǎo)體材料高低溫試驗(yàn)箱|半導(dǎo)體材料低溫測(cè)試箱規(guī)格可選其一(單位:mm)

型號(hào) AP-GD-100 內(nèi)型尺寸 400×500×500    外型尺寸950×880×1470

型號(hào) AP-GD-150 內(nèi)型尺寸 500×500×600    外型尺寸985×932×1562

型號(hào) AP-GD-250 內(nèi)型尺寸 520×630×780    外型尺寸1060×997×1740

型號(hào) AP-GD-500 內(nèi)型尺寸 700×800×900    外型尺寸1182×1250×1880

型號(hào) AP-GD-800 內(nèi)型尺寸 800×1000×1000  外形尺寸 1360×1500×1950

型號(hào)AP-GD-1000 內(nèi)型尺寸1000×1000×1000 外型尺寸1485×1520×2020

溫度范圍可選其一：0℃~150℃；-20℃~150℃；-40℃~150℃；-60℃~150℃；-70℃~150℃

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